世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、2024年に18億7,000万米ドルの規模になると推定されています。GaN半導体デバイスの需要は、2034年末までに149億5000万米ドルの市場評価に達するために、23.1%の注目すべきCAGRで増加すると予測されています。
GaN半導体は、窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスに使用されており、シリコンベースの同等品よりも優れた性能を発揮します。GaNは電子移動度が高いため、電子の移動が速いため、RFやパワーエレクトロニクスなどのデバイスでより高い周波数を使用できます。GaNはバンドギャップが広いため、より高い温度に耐えることができ、過酷な条件下でも堅牢です。GaNデバイスは、よりコンパクトで効果的であるため、エネルギー効率が向上し、電力損失が減少します。
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パワーエレクトロニクス、家電製品、通信システムなどのアプリケーションにおける高性能電子部品のニーズの高まりは、市場の成長を推進する主な要因です。窒化ガリウムは、その大きなバンドギャップ、高い電子移動度、効果的な高周波動作などの特殊な特性により、パワーデバイス用の優れた材料であり、より小さく、より速く、より効果的な電子システムの開発を可能にします。
GaNテクノロジーは、その進歩にもかかわらずまだ発展しており、業界は広範な基準と成熟度に到達するのが難しく、テクノロジーのスケーラビリティに影響を与えています。さらに、GaNデバイスの長期的な信頼性を維持することは、特にミッションクリティカルなアプリケーションでは依然として困難です。より広範な市場での受容性を確保するためには、さらなる信頼性の向上が必要です。
キーテイクアウェイ:
- 市場は主に米国が主導しており、30%の収益シェアを保持しています。この地域の市場成長は、防衛および航空宇宙産業からの研究開発への投資の増加によって推進されています。
- 予測期間中に最も急速に成長する地域市場として予想されるアジア太平洋地域の市場は、19%のCAGRで繁栄する態勢を整えています。この成長は、急速な技術の進歩によるもので、この地域での効率的で高性能なRFコンポーネントに対する需要の高まりを後押ししています。
- トランジスタセグメントは、世界の収益の35%以上を占めています。近年、通信分野では、基地局へのGaN系パワートランジスタの採用が進んでいます。
5Gインフラストラクチャでのデバイスに対する高い需要、電気自動車(EV)の人気の高まり、および消費者向けデバイスでのコンパクトで効率的なパワーエレクトロニクスのニーズの高まりが、市場の成長を推進する主要な要因です-FACTMRの専門家は述べています
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本レポートで紹介する主要企業
- 株式会社Cree
- エフィシェント・パワー・コンバージョン(株)
- 富士通
- GaNシステム
- ネクスジェンパワーシステムズ
- NXPセミコンダクター
- Qorvo株式会社
- テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
- 東芝
市場競争
この競争の激しい市場における著名な参加者は、能力向上を優先し、グローバルプレゼンスを拡大して、発展途上国における有利な機会を活用しています。
- 2021年2月、エフィシェント・パワー・コンバージョン(株)は、ルネサスISL81806とEPC2218 eGANを組み合わせたEPC9157を導入し、90%を超える効率を達成しました。ルネサスISL81806、GaNの高性能を活用して高電力ソリューションを実現し、部品表(BOM)を削減し、設計を簡素化し、シリコンベースのFETの使いやすさに似せました。
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勝利戦略
主要なプレーヤーは、5G基地局、自動車用パワーエレクトロニクス、航空宇宙アプリケーションなどの特定の業界アプリケーションに合わせたGaNデバイスの開発に戦略的に注力しており、独自のパフォーマンス要件に対応しています。
一部の大手企業は、GaN-on-Si技術の進歩と市場投入に注力しており、その潜在的なコスト削減と既存のシリコンベースの製造プロセスとの互換性から利益を得ることを目指しています。
市場のリーダーは、自動車メーカーと協力してGaN技術をEVパワーエレクトロニクスおよび充電システムに統合し、電気自動車業界での高度な半導体に対する需要の高まりに対応し、半導体メーカーと自動車会社のコラボレーションを通じてイノベーションを促進しています。
国別の分析:
米国は窒化ガリウム半導体デバイスの需要をどのように推進していますか?
航空宇宙分野での高い展開により、採用が拡大
米国は30%の販売シェアで市場をリードしています。この地域の市場は、防衛産業と航空宇宙産業の研究開発費の増加により拡大しています。さらに、半導体企業への政府投資は、地域市場を推進すると予想されます。
例えば、2020年6月には、約228億米ドルの半導体生産者を育成する法案が米国の議員から提出されました。この措置の目的は、米国内でのチップ製造の確立を促進することでした。
接触:
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11140ロックビルパイク
スイート400
メリーランド州ロックビル20852
米国
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